一种基于TSV异构集成的多层级散热结构及其制备方法

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一种基于TSV异构集成的多层级散热结构及其制备方法
申请号:CN202510550244
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120413541A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种基于TSV异构集成的多层级散热结构及其制备方法,属于集成电路封装散热技术领域,包括:基座、歧管芯片组、堆叠芯片组及散热板组,基座的内部设有供液通道和回液通道,供液通道和回液通道均贯通基座的两侧;歧管芯片组的底端键合在基座的顶端且其内部设有多条歧管微通道;堆叠芯片组的底端键合在歧管芯片组的顶端且其内部设有多条冷却微通道;散热板组的底端键合在堆叠芯片组的顶端且其内部设有多条均贯通两侧的散热微通道。本发明利用歧管微通道的进口和出口、歧管微通道的进口和出口、冷却微通道的进口和出口、散热微通道的进口和出口分别与供液通道的出口和回液通道的进口连通,可以大幅缩短散热路径,独立高效工作热量。
技术关键词
歧管转接板 散热结构 通道 散热凹槽 异构 IC芯片 层级 散热片 高功率 顶端 基座 三维堆叠结构 基板 散热板 凸点工艺 集成电路封装 回液
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