高导热‌FCBGA封装结构及其制备方法

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高导热‌FCBGA封装结构及其制备方法
申请号:CN202510550343
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120413437A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种高导热FCBGA封装结构及其制备方法,封装结构包括封装基板、FC芯片和硅片,FC芯片倒装在封装基板表面,FC芯片背面朝上,FC芯片背面设置多个金属柱,硅片一侧表面设置多个凹槽,凹槽内设有金属层;硅片具有凹槽的表面朝向FC芯片背面放置,金属柱分别嵌合于对应的凹槽内,使用热压接合工艺,将高导热率的金属柱与金属层接合连接。本发明创新了散热方式与结构,将FC芯片背面的铜柱和硅片凹槽内的铜层通过热压接合工艺接合为一体,FCBGA封装结构工作时产生的热量自FC芯片背面通过多个接合的金属柱与金属层快速的传导至硅片,再经由硅片散热,具有较好的散热性能,且结构较为简单。
技术关键词
封装结构 硅片 封装基板 高导热 芯片 凹槽 开槽角度 热压 电镀技术 层厚度 尺寸
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