一种SiC功率模块烧结封装方法

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一种SiC功率模块烧结封装方法
申请号:CN202510550381
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120637233A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种SiC功率模块烧结封装方法,涉及功率模块封装技术领域,包括,将SiC芯片和陶瓷基板依次进行超声波清洗、等离子体活化及干燥处理,得到活化陶瓷基板和SiC芯片;将活化陶瓷基板和SiC芯片表面旋涂纳米银浆料,经预固化和低温烧结形成纳米多孔银层;将石墨烯/纳米多孔银复合层芯片与陶瓷基板对齐后,在真空烧结炉中进行分段压力烧结,输出SiC功率模块;对SiC功率模块进行环氧树脂封装胶涂覆、紫外光固化和退火处理,消除内应力并增强抗腐蚀能力;筛选SiC功率模块经XRD和SEM检测后,涂覆耐高温硅胶密封层并固化,输出成品。本发明通过环氧树脂封装胶涂覆及热‑声联合退火技术,释放封装界面的残余应力,提高了SiC功率模块的工作寿命和适应性。
技术关键词
SiC功率模块 封装方法 环氧树脂封装胶 陶瓷基板 纳米多孔银 真空烧结炉 纳米银浆料 高低温循环试验箱 等离子体密度控制 功率模块封装技术 单层石墨烯 复合层 芯片 超声波清洗方法 界面残余应力 紫外光 自动加热装置
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