摘要
本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于顶部平面金属光栅和高反射介质膜的激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜;所述增益芯片右侧设置有平面金属布拉格光栅波导,所述增益芯片的右端面与所述平面金属布拉格光栅波导的左端面对准贴合,所述平面金属布拉格光栅波导左端面镀设有第二增透AR膜,所述平面金属布拉格光栅波导右端面镀设有第三增透AR膜。本发明通过厘米级平面金属布拉格光栅波导与低损耗耦合结构,实现<750Hz的窄线宽及M2<1.1的光束质量。
技术关键词
平面金属光栅
布拉格光栅
低损耗耦合结构
光波导
芯片
半导体激光器技术
介质
反射率
粗糙度
层厚度
沉积方法
衬底
波长
光束
抛光
周期
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