一种半导体集成芯片及其制作方法

本发明公开了一种半导体集成芯片及其制作方法，半导体集成芯片的基底正面包括设置有第一器件的第一区域和设置有第二器件的第二区域，基底背面设有背金层；第一区域上还按序设有连线结构、顶层钝化层和散热层，连线结构与第一器件的电极以及背金层连接形成第一散热通道，散热层覆盖第一区域并贯穿顶层钝化层与连线结构连接形成第二散热通道；连线结构由一金属连线层构成，散热层由顶部金属层构成，第二器件包括金属连线层和顶部金属层构成的金属堆叠。本发明一方面提高了散热性能，使得HBT器件等有源器件的电流非线性下降的拐点电压进一步提高，另一方面通过加厚第二器件的金属厚度提高其性能。