一种高密度3D NAND闪存性能优化方法

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正文
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一种高密度3D NAND闪存性能优化方法
申请号:CN202510556204
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120491896A
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高密度3D NAND闪存性能优化方法。该方法包括以下步骤:获取缓存块中若干待写入数据的写入请求和旧放置闪存块;根据每个所述待写入数据的写入请求和旧放置位置,对待写入数据进行分类,获得每个待写入数据类型;根据每个待写入数据的类型,将待写入数据写入新的闪存块。该性能优化方法具有响应时间短、寿命高、性能强的特点。
技术关键词
3DNAND闪存 性能优化方法 读数据 重编程 高密度 性能优化系统 数据编码 电压 低延迟 存储模块 有效性 算法 寿命
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沪ICP备2023015588号