一种高密度3D NAND闪存性能优化方法
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推荐专利
一种高密度3D NAND闪存性能优化方法
申请号:
CN202510556204
申请日期:
2025-04-29
公开号:
CN120491896A
公开日期:
2025-08-15
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种高密度3D NAND闪存性能优化方法。该方法包括以下步骤:获取缓存块中若干待写入数据的写入请求和旧放置闪存块;根据每个所述待写入数据的写入请求和旧放置位置,对待写入数据进行分类,获得每个待写入数据类型;根据每个待写入数据的类型,将待写入数据写入新的闪存块。该性能优化方法具有响应时间短、寿命高、性能强的特点。
技术关键词
3DNAND闪存
性能优化方法
读数据
重编程
高密度
性能优化系统
数据编码
电压
低延迟
存储模块
有效性
算法
寿命
沪ICP备2023015588号