SiC MOSFET的电路仿真模型构建方法及装置

本发明公开了一种SiC MOSFET的电路仿真模型构建方法及装置，用于解决当前在对SiC MOSFET进行建模时对第三象限特性建模的准确度不高、模型收敛性较差的问题。所述方法包括：获取SiC MOSFET的模型电路结构及第三象限工作数据点集合；根据预设的模型表达式对第三象限工作数据点集合进行基于电压比对的反向电流拟合，获得模型表达式的各拟合系数；根据模型电路结构、第三象限工作数据点集合、模型表达式及各拟合系数，构建SiC MOSFET的电路仿真模型。