一种集成电路芯片热中子单粒子翻转截面的快速估计方法

本申请半导体器件技术领域，公开了一种集成电路芯片热中子单粒子翻转截面的快速估计方法，该方法包括：S1‑通过微观结构分析确定FinFET芯片的几何尺寸和材料成分分布，所述材料成分分布包括硼‑10同位素的分布与含量；S2‑基于所述几何尺寸和材料成分分布，通过蒙特卡罗模拟计算热中子在芯片敏感区域的有效线性能量传递分布；S3‑建立临界电荷与有效LET的定量关系，结合有效线性能量传递分布确定单粒子翻转截面。本申请，降低了敏感区域的LET计算误差，并通过硼‑10同位素、电场梯度以及临界电荷的耦合，实现SEU截面的快速、精准估计。