一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法

本发明涉及倒装焊接封装技领域，具体为一种基于RDL+PI制程的凸点芯片改进倒装焊接方法，在电镀RDL铜层上进行微蚀刻处理形成的第一粗糙面来增强RDL之间的PI与PA结合力；在凸点铜柱侧面进行微蚀刻处理形成的第二粗糙面增加铜柱与塑封料结合力，以提升IC抗应力能力增加IC各材料之间的结合，以增强IC抵抗3IR+BHAST应力的能力，使得铜柱侧面与塑封料、PI与RDL不产生分层现象。