摘要
本发明提供了一种芯片失效测试方法,包括:S1:提供待测试的芯片,芯片包括多个呈多行和多列形式存在的存储单元,每行存储单元的字线均连通,每列存储单元的位线均连通;S2:对所有存储单元均写入“00”;S3:若写入“00”是否成功,对所有存储单元的位线施加6V~10V的电压;S4:对所有存储单元进行读“00”操作;S5:若任一存储单元读取的值非“00”,则判断芯片失效;S6:若所有存储单元读取的值均为“00”,则对芯片进行擦除操作;S7:对所有存储单元进行读“1”操作;S8:如果读取的值为非“1”,则判断芯片失效。本发明防止了此类芯片在终端使用中出现初始化编程的失效。
技术关键词
失效测试方法
存储单元
多晶硅
芯片
浮栅
侧墙
栅氧化层
位线
衬底
电压
编程
终端