一种键合结构的测试方法

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正文
推荐专利
一种键合结构的测试方法
申请号:CN202510559056
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120427513A
公开日期:2025-08-05
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供了一种键合结构的测试方法,包括:提供键合结构,键合结构包括:第一半导体结构以及位于第一半导体结构一侧的第一键合层,第二半导体结构以及位于第二半导体结构一侧的第二键合层,其中,第一半导体结构和第二半导体结构通过第一键合层和第二键合层键合连接;对键合结构执行处理工艺,以去除第二半导体结构,暴露完整的第二键合层,形成待测试样品;采用粘附力测试方法测试待测试样品中的第一键合层与第二键合层之间的粘附力;基于粘附力的测试结果确定第一键合层与第二键合层之间的键合强度。
技术关键词
半导体结构 键合结构 粘附力测试方法 测试样品 干法刻蚀工艺 机械抛光工艺 湿法刻蚀工艺 晶圆 平坦化工艺 芯片 强度 参数
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