一种处理工艺热点的OPC优化方法

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一种处理工艺热点的OPC优化方法
申请号:CN202510559278
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120540008A
公开日期:2025-08-26
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种处理工艺热点的OPC优化方法,包括:步骤一,提供原始版图,对该原始版图进行OPC修正;步骤二,对经过OPC修正后的版图进行光刻严格仿真验证,以获取工艺热点区域图形的最佳成像高度;步骤三,对根据工艺热点区域图形的最佳成像高度生成的二维版图进行OPC验证。将光刻严格仿真集成到OPC仿真结果内,使用优化算法获取最佳成像高度,将工艺热点区域严格仿真结果转换为二维版图数据,可以快速明确地指导OPC进一步修正,提高OPC对工艺热点区域的优化精确度。
技术关键词
版图 仿真图形 热点 误差区间 成像 仿真模型 光刻胶 仿真软件 坐标 衬底 数据 尺寸 算法 程序 参数
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