芯片及其生成方法

本发明公开了一种芯片及其生成方法法，包括以下步骤：获取CMOS晶圆，将四甲基氢氧化铵溶解在乙醇溶液中，向乙醇溶液注入Zn(OAc)2和油酸，用EtOH稀释混合溶液，对混合溶液进行离心处理，同时去除上清液；将获得的油酸封端的ZnOQD用乙醇清洗多次；之后，将制备的前体溶液进行超声波处理并通过聚醚砜注射器过滤以获得透明溶液，将透明溶液旋涂在CMOS晶圆的目标表面；将氧化铟前驱体溶液旋涂在CMOS晶圆的目标表面；将氧化铝前驱体溶液旋涂到CMOS晶圆的目标表面上，然后进行退火处理；将铝源极和漏极沉积在CMOS晶圆的目标表面上。该生成方法所生成的芯片具有突触性能高，低成本，适合大规模生产的优点。