一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺

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一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺
申请号:CN202510563652
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120112153B
公开日期:2025-07-08
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺,方法包括以下步骤:根据稀疏阵元坐标利用真空吸附和丝网印刷在PVDF或P(VDF‑TrFE)压电薄膜上形成图案化电极,并在外围设置虚拟过渡阵元;激光刻蚀压电薄膜的边缘轮廓和排气孔;设计粘接定位辅助工具,结合超薄双面胶以及单面掩膜胶带,利用导电银浆实现阵元与PCB焊盘的精准电连接;设计聚四氟乙烯‑金属压平模块,在真空环境中压合阵列以固化粘接;匹配层采用低阻抗透声材料,从背面分次灌胶并真空除泡,结合聚酰亚胺薄膜和金属超平板完成稀疏传感阵列的制备。本发明解决了大孔径高频成像声呐在传感阵列上的制备难题,可提升阵元位置精确度、阵元一致性以及成像分辨率。
技术关键词
超薄双面胶 压电薄膜 PCB电路板 图案化电极 定位辅助工具 真空吸附平台 聚酰亚胺薄膜 环氧树脂 丝网印刷平台 阵列 传感 掩膜 模拟退火优化 印刷导电银浆 单面 边缘轮廓 遗传优化算法 聚酰亚胺胶带
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