一种基于FPGA的DDR3缓存电路

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一种基于FPGA的DDR3缓存电路
申请号:CN202510564588
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120510888A
公开日期:2025-08-19
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种基于FPGA的DDR3缓存电路,包括FPGA芯片与若干个DDR3存储芯片的互连结构,DDR3芯片的DQ/DQS/DM信号采用点对点直连,控制/地址/时钟信号通过Fly‑by拓扑结构与各DDR3芯片共享,且通过写入均衡技术调整CK+/CK‑与DQS+/DQS‑的时序关系。本发明通过DQ/DQS/DM信号的点对点直连设计,消除了传统拓扑结构中的反射和串扰问题,降低误码风险;写入均衡技术动态调整CK+/CK‑与DQS+/DQS‑时序关系,补偿因PCB走线长度、阻抗不匹配或温度变化引起的时序偏差;Fly‑by拓扑结构连接控制/地址/时钟信号,减少了信号分支和反射,降低了信号衰减和串扰。
技术关键词
均衡技术 信号 FPGA芯片 供电电路 互连结构 点对点 时钟电路 存储芯片 电源管理芯片 阻抗技术 存储器接口 时序 管脚 系统时钟 电压 电阻
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