集成存储器芯片的制造方法及其结构

本发明提供一种集成存储器芯片的制造方法及其结构。该方法包括制造一块具有集成存储功能的芯片，其包括：在一块存储晶圆上，使用存储光罩组以第一工艺节点形成多个基础存储阵列，其中每个基础存储阵列被多条刻划线包围；在一块控制晶圆上，使用控制光罩组以第二工艺节点形成多个控制芯片，其中所述第一工艺节点较第二工艺节点更先进，并且每个所述控制芯片被配置为控制对应的存储器芯片的运行，所述存储器芯片包括至少两个基础存储阵列；将所述存储晶圆与所述控制晶圆进行键合，形成一块键合晶圆，其中每个所述控制芯片与对应的存储器芯片键合；沿所述刻划线的一部分(而非全部)对所述键合晶圆进行切割，以形成多个集成存储器芯片，其中每个所述集成存储器芯片包括一条未被切割的刻划线。