一种Micro LED芯片的巨量转移方法

本发明公开了一种Micro LED芯片的巨量转移方法，该方法包括：将承载有多个Micro LED芯片的源基板与接收基板进行相对设置，源基板的表面设有中转介质层，中转介质层的热膨胀系数大于接收基板材料的热膨胀系数；对源基板施加预设温度，使附着于源基板表面的中转介质层受热膨胀产生剪切力，使Micro LED芯片剥离；通过巨量转移设备中转移部件上的电磁线圈阵列生成动态梯度磁场，在转移过程中实时修正Micro LED芯片的三维空间位置；将完成位姿校准的Micro LED芯片通过热压键合方式固定至接收基板的目标位置，以完成Micro LED芯片的巨量转移。本发明既能有效降低巨量转移时的芯片破损率与电极剥离率，又能有效提升Micro LED芯片的贴装精度，极大地提升了Micro LED芯片的巨量转移质量。