高准确性磁屏蔽室仿真评估方法

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高准确性磁屏蔽室仿真评估方法
申请号:CN202510565652
申请日期:2025-04-30
公开号:CN120087156B
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高准确性磁屏蔽室仿真评估方法,本发明基于有限元仿真,能够在真实环境场中构建高准确性磁屏蔽室环境场;本发明对加入主动补偿系统的带有门缝的磁屏蔽室进行仿真分析,提高对磁屏蔽室的仿真结果的准确性,从而在搭建前对所设计的磁屏蔽室的性能进行高准确性仿真,评估设计的磁屏蔽室对环境噪声的屏蔽效果;本发明还可对磁屏蔽室在搭建过程中对环境噪声的屏蔽效果进行评估,从而在搭建过程中有针对性地优化磁屏蔽室的设计方案,来满足要求。
技术关键词
仿真评估方法 磁屏蔽室 环境磁场 三维模型 有限元仿真软件 补偿地球磁场 仿真分析 亥姆霍兹线圈 磁通门传感器 电流 建立磁场 磁感应强度 门框结构 屏蔽层 参数 频率 频段
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