一种单晶硅片亚表面损伤深度预测方法

本发明提供了一种单晶硅片亚表面损伤深度预测方法，其特征是：包括如下步骤：S1、基于压痕断裂力学理论，获取单晶硅片加工后亚表面损伤变形区深度与亚表面微裂纹深度的理论关系；S2、对单晶硅锭进行加工，获取单晶硅片；S3、对单晶硅片进行纳米压痕实验，获得弹性恢复参数与最大压印载荷的关系曲线；S4、通过曲线拐点求出加工单晶硅片的亚表面损伤变形区深度；S5、结合获取的理论关系，预测单晶硅片的亚表面微裂纹深度。本发明只需通过纳米压痕实验测量亚表面损伤变形区深度，即可准确预测亚表面损伤深度，对工件损伤最小，且检测时操作简单，受操作者经验影响小，降低了检测成本和难度。