一种基于2D与3D复合成像的芯片封装质量检测优化方法

AITNT
正文
推荐专利
一种基于2D与3D复合成像的芯片封装质量检测优化方法
申请号:CN202510570226
申请日期:2025-05-06
公开号:CN120088256B
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于2D与3D复合成像的芯片封装质量检测优化方法,包括如下步骤:S1、采集芯片封装区域的二维图像与三维结构图像;S2、进行空间配准与归一化处理,提取亮度梯度、深度梯度与结构曲率,生成图像融合特征集;S3、基于图像融合特征集构建改进的Mumford‑Shah图像能量泛函模型;S4、设置空间注意调节机制,调节边界长度项权重;S5、执行变分优化生成边缘响应图,提取边界轮廓形成芯片封装结构边界图;S6、融合边界图与三维结构图像构建边界图谱,提取图结构特征;S7、构建封装质量评分函数,输出缺陷类型、缺陷位置与封装质量评分值。本发明融合二维与三维结构特征,提升了芯片封装缺陷识别与评分的建模能力。
技术关键词
能量泛函模型 检测优化方法 芯片封装结构 图像 边界轮廓 融合特征 成像 深度值 芯片封装缺陷 连续性 三维结构特征 图谱 像素 曲线 亮度 深度传感器 坐标点
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号