光子集成电路芯片及光子集成电路芯片的制造方法

本申请的实施例公开了一种光子集成电路芯片及光子集成电路芯片的制造方法。光子集成电路芯片包括光栅耦合器，方法包括：形成光栅耦合器；在所述光栅耦合器上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述光栅耦合器；在所述第一介质层上形成刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层的一部分以形成第一开口，所述第一开口位于所述光栅耦合器的上方，通过所述第一开口露出所述光栅耦合器；以及，在所述刻蚀停止层中形成多个第二开口，以缓解应力分布不均。本申请实施例中，通过在刻蚀停止层形成第二开口，缓解了刻蚀停止层的应力，避免了光子集成电路芯片中光栅耦合器的光耦合性能受到影响。