MPCVD半导体薄膜均匀性实时原位监测方法及系统

AITNT
正文
推荐专利
MPCVD半导体薄膜均匀性实时原位监测方法及系统
申请号:CN202510571607
申请日期:2025-05-06
公开号:CN120497115A
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种MPCVD半导体薄膜均匀性实时原位监测方法及系统,所述方法包括获取不同MPCVD生长工艺下半导体薄膜的光谱信息和表征数据,并构建数据库;根据所述数据库和双通道残差架构神经网络分析训练得到半导体薄膜生长均匀性识别模型;获取半导体薄膜实时的光谱信息,结合所述半导体薄膜生长均匀性识别模型,得到半导体薄膜的生长情况。本发明结合MPCVD实时的光谱信息和表征数据与机器学习算法实现MPCVD生长过程中薄膜厚度、掺杂浓度及形貌的快速高通量、非接触式实时解析。本发明还适用于各种材料系统和生长条件,无需过多的人为干预和调整,具有较强的通用性和适用性。
技术关键词
半导体薄膜 原位监测方法 激光调制器 原位监测系统 单晶金刚石薄膜 微波馈入装置 权重分配机制 谐振腔 加权损失函数 聚焦透镜 窄带滤波片 波前传感器 特征提取能力 抗干扰模块 准直镜 样品台 识别模块 套筒 人机交互界面
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号