一种激光器芯片氧化孔径的测试方法

本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种激光器芯片氧化孔径的测试方法，包括提供激光器晶圆，激光器晶圆包括多个具有不同氧化孔径设计值的测试结构，每个测试结构包括氧化孔径设计值相同的氧化孔径模拟芯片和监控测试芯片；获取每个测试结构中氧化孔径模拟芯片的氧化孔径测量值和监控测试芯片的监控电压值，得到测试结构的氧化孔径测量值和监控电压值；根据多个测试结构的氧化孔径测量值和监控电压值，得到氧化孔径测量值‑监控电压值关系曲线；获取激光器芯片的芯片电压值，并根据氧化孔径测量值‑监控电压值关系曲线确定激光器芯片的氧化孔径。本发明可以准确地测试每个激光器芯片的氧化孔径，以便将氧化孔径纳入每颗激光器芯片的出货判定标准。