双重刻蚀模型的构建方法、装置、设备、介质及产品

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推荐专利
双重刻蚀模型的构建方法、装置、设备、介质及产品
申请号:CN202510577736
申请日期:2025-05-06
公开号:CN120370620A
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种双重刻蚀模型的构建方法、装置、设备、介质及产品,涉及半导体制造技术领域。该方法包括:获取光强分布图像集合;将光强分布图像集合中任意两个光强分布图像进行配对,得到多个图像对;对于每个图像对,将图像对中的第一光强分布图像与第二光强分布图像分别输入至光刻刻蚀工艺模型中,得到第一光刻胶图像和第一刻蚀图像,以及第二光刻胶图像和第二刻蚀图像;对于每个图像对,分别将第一刻蚀图像与第二刻蚀图像进行融合,得到目标刻蚀标签图像;对于每个图像对,以第一光刻胶图像和第二光刻胶图像为自变量,以目标刻蚀标签图像为因变量,对目标机器学习模型进行训练,得到双重刻蚀模型。本发明能够提高双重刻蚀模型的精确度。
技术关键词
图像 光刻刻蚀工艺 机器学习模型 掩模版图 光强 光刻胶模型 像素点 标签 计算机程序指令 计算机程序产品 电子设备 光刻图形 光学成像 处理器 效应 半导体 介质 存储器
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