一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光器

本发明提出一种硅基片上可调双增益光学结构和激光器，涉及激光器技术领域，硅基片上可调双增益光学结构包括：第一反射型半导体光放大器、第二反射型半导体光放大器、第一调相器、第二调相器、第一光耦合器、第三调相器、第四调相器、第二光耦合器、第一端口和第二端口。通过调节两个反射型半导体光放大器之间的相位差来调节反射光和透射光之间的分配比例。利用多个硅基片上状态可调双增益光学结构配置成的半透半反器，以及选择性接入硅基片上状态可调双增益光学结构配置成的光学放大器，来构成激光器，激光器功率实现了显著提高，混合集成的芯片结构，不含有光纤，激光器结构更紧凑且更稳定。