芯片的测试方法、测试装置以及存储介质

本公开提供了一种芯片测试方法、测试装置以及存储介质；其中，测试方法，包括：提供待测芯片；向待测芯片施加不同的应力，并检测待测芯片在不同应力下的电学性能参数；基于电学性能参数，确定待测芯片的电性失效临界点。这样，电学性能参数准确记录了待测芯片在力场作用下的电学性能演化过程，进而，测试出的电性失效临界点能够准确反映待测芯片是否存在电性失效，从而，能够进一步提高电性失效临界点的测试结果的准确性。