一种基于密度泛函理论结构优化的表面增强拉曼光谱理论模拟方法

本发明属于SERS谱图解析技术领域，尤其是一种基于密度泛函理论结构优化的表面增强拉曼光谱理论模拟方法。本发明包括如下步骤：S1、Materials Studio建模；S2、VASP优化：使用VASP对模型进行结构优化，其中离子弛豫过程中采用共轭梯度法进行结构优化；S3、Gaussian计算：基于密度泛函理论，使用Gaussian对光谱进行解析操作，得到光谱文件。本发明基于密度泛函理论的计算方法，能够更准确地描述真实的吸附表面、功函数及电荷转移特性，在表面吸附研究中具有显著优势。