发光结构及其制备方法

本申请提供一种发光结构及其制备方法，所述制备方法包括：制备发光芯片晶圆，所述发光芯片晶圆包括衬底、衬底上方的外延结构，所述外延结构包括发光芯片的U‑GaN层；去除所述衬底，露出所述U‑GaN层，以所述U‑GaN层制备透镜；将所述发光芯片晶圆切割成发光芯片晶粒；另行制备驱动芯片晶粒，将所述发光芯片晶粒和所述驱动芯片晶粒键合，得到所需的发光结构。本申请先在发光芯片晶圆上直接制备透镜，最后再将发光芯片晶圆切割成单个发光芯片晶粒，发光芯片晶粒和驱动芯片晶粒进行单芯片键合，全程只有一次单芯片键合，对位不容易出现累积偏差，整体工艺难度较低，能够确保制备得到的发光结构产品品质较好，性能较好。