基于光子晶体微腔的存算一体光芯片及其制备方法

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基于光子晶体微腔的存算一体光芯片及其制备方法
申请号:CN202510587471
申请日期:2025-05-08
公开号:CN120447138A
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于光子晶体微腔的存算一体光芯片及其制备方法,属于光量子芯片领域。光芯片包括由下至上布置的衬底、第一接触层、n型GaAs接触层、第二接触层和p型GaAs接触层;制备于台阶面上n型电极,台阶面为刻蚀p型GaAs接触层和第二接触层以及刻蚀部分n型GaAs接触层形成的;制备于p型GaAs接触层表面的多个p型电极;刻蚀形成二维光子晶体结构,其包含一个光子晶体波导以及多个光子晶体微腔,在光子晶体波导的两端刻蚀形成的两个光栅,以及制备于二维光子晶体结构和光栅下方的空气槽。本发明的光芯片可以实现矩阵向量积的光计算以及进行对光信号的存储。
技术关键词
二维光子晶体结构 光芯片 接触层 波导 光栅 光刻胶 电极 光子晶体微腔 雪崩光电二极管探测器 空气槽 半导体结构 孔洞 半圆形 台阶 透过率 卷积方法 量子点层 波长
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