碳化硅MOSFET瞬态行为的等效开关仿真建模方法及系统

本发明提供一种碳化硅MOSFET瞬态行为的等效开关仿真建模方法及系统，属于碳化硅MOSFET瞬态行为的仿真建模技术领域，根据SiC MOSFET的数据手册提取该器件的非线性特性；构建SiC MOSFET的数学模型；根据SiC MOSFET的输出特性以及反并联二极管的导通特性，结合构建的SiC MOSFET的数学模型，建立SiC MOSFET的等效开关模型；根据SiC MOSFET的等效开关模型，建立基于SiC MOSFET的半桥桥臂的等效开关模型。本发明将SiC MOSFET构建为等效电导与历史电流源并联的形式，等效电导值可根据不同的工作区进行切换；在保证了模型精确性的同时降低了模型的计算成本；实现了与电力电子变换器外部电路的解耦，优化了电力电子变换器的高阶状态方程。