一种低角度形貌的离子束刻蚀方法及应用

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种低角度形貌的离子束刻蚀方法及应用。在晶圆表面沉积待刻蚀的金属薄膜，然后旋涂光刻胶掩膜并进行曝光显影处理，完成光刻胶掩膜的图形化；之后进行高温坚膜处理，通过高温使光刻胶掩膜产生热回流，降低光刻胶掩膜角度；获取坚膜后的光刻胶掩膜侧壁角度，调整离子束刻蚀入射角度，使离子束入射角度与光刻胶掩膜侧壁角度互余，进行刻蚀直至完成。本方法可将离子束刻蚀沟槽侧壁陡直度控制在50°以内，且无侧墙沉积，能极大的增加了多层布线工艺金属层间可靠性。