摘要
本发明公开了一种基于三维堆叠工艺的多通道射频收发芯片,属于微波集成电路技术领域。该芯片包括从下至上依次设置的GaAs射频底板、GaAs转接板和CMOS芯片盖板;GaAs射频底板集成多通道的射频电路,CMOS芯片盖板的下表面集成控制电路以及电源调制电路,GaAs转接板设置有若干金属走线;两层芯片之间均通过金凸点实现电气互连,GaAs转接板上下层金属之间通过地孔实现电气互连;同时,射频电路的各通道之间设置有地孔‑金球‑地孔屏蔽结构。本发明通过创新的垂直互连结构、地孔‑金球‑地孔屏蔽结构,解决了现有技术中电磁耦合、互连损耗大等问题,实现了高功率输出、高移相精度及紧凑封装。
技术关键词
射频收发芯片
堆叠工艺
射频电路
金属走线
电源调制电路
屏蔽结构
多通道
GaAspHEMT工艺
微波集成电路技术
转接板
电气互连
屏蔽腔结构
垂直互连结构
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