具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法及硅转接板

本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种具有穿透式导电硅通孔的硅转接板制造方法及硅转接板。方法包括：以在背面沿着边缘形成一圈结构环的方式，将后续用作硅中介层的晶圆研磨到产品设计厚度；将结构环切开而形成狭缝；制作硅中介层，向晶圆内部填充有机材质并进行固化，以贯穿所述硅中介层的方式形成导电硅通孔；形成再分布金属层，将芯片键合；将有机材质去除，去除多余的材质。利用本发明，创新性地研发了穿透式的TSV结构，显著降低了工艺难度，并提升了工艺完成效果。