电压基准结构及其应用

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电压基准结构及其应用
申请号:CN202510599834
申请日期:2025-05-09
公开号:CN120469536A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种电压基准结构及其应用。该电压基准结构包括第一晶体管和第二晶体管。该两个晶体管均为耗尽型晶体管。其中第一晶体管和第二晶体管的栅极相互电连接并连接电源的负极或接地,第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极电连接并输出参考电压,第一晶体管的源极连接电源的负极或接地,第二晶体管的漏极连接电源的正极。本申请的电压基准结构简单,仅使用耗尽型晶体管即可产生性能良好的电压基准,并具有低温度系数、高电源抑制比、低功耗等优点,可有效拓宽耗尽型晶体管在模拟电路等领域中的应用。
技术关键词
耗尽型晶体管 电压 基准 栅极接触结构 高电源抑制比 芯片结构 输出控制方法 有机晶体管 负极 栅极结构 半导体 肖特基 直流电源 电路 低功耗 线性
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