一种基于漏源电阻变化的GaN HEMT陷阱密度表征方法

本发明公开了一种基于漏源电阻变化的GaN HEMT陷阱密度表征方法，涉及功率半导体器件陷阱测试及可靠性评估领域。包括：将被测GaN HEMT与测试电路连接；在恒定偏置条件下监测器件漏源电阻的瞬态响应；利用贝叶斯迭代算法分离各陷阱能级对电阻变化的贡献；从每个陷阱导致的漏源电阻变化中通过计算获取每个能级的陷阱密度。本发明通过漏源电阻动态响应分析实现GaN HEMT陷阱密度的精确计算，该方法可直接反映陷阱对器件动态导通特性的影响，可广泛应用于不同工艺的GaN HEMT器件可靠性评估，具有测试简便、分辨率高、适用性强的特点。