一种晶锭切割过程中的嵌套保护装置及方法

本发明公开了一种晶锭切割过程中的嵌套保护装置及方法，包括内层弹性缓冲层、中间应力分散层和外层刚性支撑层，内层弹性缓冲层采用高分子聚合物材料，厚度为0.5毫米至2毫米，中间应力分散层由蜂窝状金属网格构成，单元尺寸为1毫米至3毫米，外层刚性支撑层选用高强度碳纤维复合材料，厚度为3毫米至5毫米。切割完成后，对晶锭进行无损检测，确保其内部和表面均无隐性缺陷。整个嵌套保护方法通过精确控制嵌套结构参数、应力分布优化算法以及热效应管理模型，实现了高效、高质量的晶锭切割结果，适用于第三代半导体产业对高质量碳化硅晶片的需求。该方法的核心设备包括嵌套保护装置、应力监测系统、热效应控制系统等模块，各模块协同工作以完成晶锭切割任务。