考虑沟道动态响应的SiC MOSFET第三象限特性测试电路及方法

本发明公开一种考虑沟道动态响应的SiC MOSFET第三象限特性测试电路及方法，电路包括光电隔离接口、可调偏置三态驱动电路、低阻电子开关阵列、被测器件接口，光电隔离接口输入端与DSP控制器I/O端口相连，输出端与可调偏置三态驱动电路以及低阻电子开关阵列的输入端相连，可调偏置三态驱动电路输出端与被测器件栅极相连；方法包括，向SiC MOSFET栅极施加预处理激励，使得器件沟道进入激活状态；对被测器件施加测试激励，获得第三象限电流数据；调节栅源电压和漏源电压偏置，重复进行测量，获取考虑沟道动态响应的SiC MOSFET第三象限特性。此种技术方案通过增加栅压预处理激励，最大程度还原器件在变换器实际工作条件下的运行特性，提高SiC MOSFET第三象限特性的测试精度。