射频芯片测试方法

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射频芯片测试方法
申请号:CN202510611312
申请日期:2025-05-13
公开号:CN120415594A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本申请公开了射频芯片测试方法,涉及无线通信领域,其方法包括:控制终端接收来自射频芯片的输出信号及DDS信号发生器产生的扫频激励信号,并在DDS信号发生器的输出端连接低通滤波器以及偏置调节器,对扫频激励信号进行直流偏置调节;对输出信号进行动态衰减及阻抗匹配;设置并联参考电阻,对并联参考电阻施加输出电压,计算参考电流;根据参考电流进行增益校准,并根据实测增益与理论增益,触发微调信号至偏置调节器进行微调;执行多频点循环测试,并为高频段信号与低频段信号分别设置步长与测试持续时间,同时设置终止条件,该终止条件包括频点增益偏差连续超限以及频点测试持续时间超限。本申请可以实现射频芯片测试过程中的全频段要求。
技术关键词
射频芯片 调节器 低频段 直流工作点 低通滤波器 驱动放大器 DDS信号发生器 测试方法 电阻 控制终端 阻抗匹配模块 校准 层级 电流值 动态 高频段 电压
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