CMOS传感器辐射损伤坏点补偿方法

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CMOS传感器辐射损伤坏点补偿方法
申请号:CN202510621887
申请日期:2025-05-14
公开号:CN120580146A
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
CMOS传感器辐射损伤坏点补偿方法,其作用对象为CMOS传感器输出的含有α响应信号的纯黑背景的帧图像,其用于对所述帧图像中的坏点进行检测并补偿。方法如下:1,建立分类特征:类别目标包括α响应信号和坏点;α响应信号具有靶式分布特征,坏点具有灰度值恒定特征;2,帧图像预处理;3,像元初步判定;4,坏点判定;5,坏点补偿:将坏点划分为:位于噪声中的A类坏点和位于α响应信号中B类坏点;针对A类坏点采用众数滤波法替换灰度值;针对B类坏点采用均值滤波法替换灰度值。本发明能够在不影响α响应信号的情况下补偿坏点,减少辐射损伤对图像信息数据的干扰,提高了CMOS传感器对α粒子响应的精度。
技术关键词
CMOS传感器 补偿方法 像素点 辐射监测系统 分类特征 图像 芯片板 分布特征 信号 射线屏蔽材料 滤波 容纳电路板 噪声 PC机 壳体 遮光膜
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