功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法
申请号：CN202510624704
申请日期：2025-05-15
公开号：CN120977968A
公开日期：2025-11-18
类型：发明专利
摘要
功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法。一种堆叠(1)包括：第一芯片(11)中的第一功率半导体器件(110)，其中所述第一功率半导体器件(110)被配置用于有源操作，在所述有源操作期间，应用负载电流由第一功率半导体器件(110)传导，并且在第一功率半导体器件(110)中出现功率损耗；第二芯片(12)中的第二功率半导体器件(120)，其中所述第二功率半导体器件(120)被配置用于无源操作，在所述无源操作期间电压被阻断；以及用于耗散所述功率损耗的散热器接口(13)，其中所述第二芯片(12)被布置在第一芯片(11)和散热器接口(13)之间。
技术关键词
功率半导体器件
芯片
散热器
漏电流
接口
电压
监视器
功率模块
宽带隙材料
损耗
掺杂区
导电夹具
功率晶体管
pn结
阻挡层
衬底
管芯
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