半导体装置及其制造方法

一种半导体装置及其制造方法。提供可实现能够在绝缘层中形成微细的导通孔、以及确保绝缘层与布线在高温回流焊工序后的密合性、抑制绝缘不良的半导体装置。一种半导体装置(1)，其具备多个半导体芯片(2)、密封材料(3)和再布线层(4)，所述密封材料(3)覆盖前述半导体芯片(2)的一部分，所述再布线层(4)配置于前述半导体芯片(2)中的未被前述密封材料(3)覆盖的表面侧、且俯视时面积大于前述半导体芯片(2)，前述再布线层(4)包含布线(5)和绝缘层(6)，所述布线(5)与前述半导体芯片(2)电连接，所述绝缘层(6)的玻璃化转变温度为240～320℃。