提高芯片分区工艺可靠性的方法

本发明公开了一种提高芯片分区工艺可靠性的方法，在芯片版图中包含第一工艺区域以及第二工艺区域，两部分区域分开进行工艺；在进行第二工艺区域的工艺时对第一工艺区域进行光刻胶覆盖保护；在对第一工艺区域采用光刻胶覆盖保护时，先对第一工艺区域整体进行HMDS预处理，然后进行HMDS和半导体衬底的反应产物的选择性局部去除工艺，将第一工艺区域中不必要保护的非图形区域的HDMS和半导体衬底的反应产物进行去除；完成之后再对所述第一工艺区域进行光刻胶涂布覆盖保护。本发明方法通过先将保护区域的非图形区域的HDMS和半导体衬底的反应产物进行激光辐照分解进行去除，然后再涂布光刻胶，降低非必要区域的光刻胶的粘附能力，在后续工艺中去胶时光刻胶更容易被去除，降低光刻胶可能残留的版图面积，提高工艺的可靠性。