半导体深硅刻蚀方法及其应用

本发明公开了一种半导体深硅刻蚀方法及其应用。所述半导体深硅刻蚀方法包括：提供待刻蚀结构，包括硅结构以及氧化硅层；进行图案化刻蚀；生长氧化硅作为填补层，填补层包括侧面部分和底面部分，将第一内壁填补形成第二内壁，第二内壁与底面更加接近于90°；进行二次刻蚀，再次暴露硅结构；采用深硅刻蚀工艺，形成深硅刻蚀结构。本发明利用横向生长的方法进行硬质掩模的开口宽度以及开口侧壁形貌的调整，一方面能够通过控制横向生长的条件来精确调整掩模开口的宽度，无需高精度的光刻设备；另一方面能够通过对开口侧壁形态的调整，显著提高深硅刻蚀的品质，无需复杂的工序和昂贵的设备即可实现避免深硅刻蚀槽出现多种异常。