一种晶圆与金属凸块键合结构及其制作工艺

本发明涉及一种晶圆与金属凸块键合结构及其制作工艺，涉及芯片制造技术领域，工艺包括以下步骤：步骤S1、提供金属片和晶圆；步骤S2、在金属片的一面贴附支撑膜，并在金属片另一面制作烧结面，得到金属凸块；步骤S3、在晶圆上制作浆料层，将金属凸块带有烧结面的一面放置于浆料层上；或者在金属凸块的烧结面上制作干浆料膜，将金属凸块带有干浆料膜的一面放置于晶圆的引线键合区；步骤S4、将金属凸块与晶圆烧结，得到键合结构；步骤S5、将键合结构切割分离出单颗芯片。本发明通过控制晶圆键合的金属凸块的厚度为50‑300微米，使得金属凸块便于后续封装中键合粗铜线或者厚铜片或者直接倒装在基板上，提高芯片的载流能力和散热能力。