具有高金属填充覆盖率的半导体芯片及其制备方法

本公开公开了一种具有高金属填充覆盖率的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片包括衬底和半导体层；所述半导体层位于所述衬底的一面，所述半导体层背向所述衬底的一面具有孔槽，所述孔槽包括槽体部和槽口部，所述槽体部的内侧壁与所述衬底所处平面之间的夹角为85°～90°，所述槽口部位于所述槽体部远离所述衬底的一端，所述槽口部的内侧壁与所述衬底所处平面之间的夹角为50°～70°。本公开实施例能够提升金属填充覆盖率。