基于迁移学习和分子动力学模拟的过冷二元合金枝晶生长速度预测方法及系统

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基于迁移学习和分子动力学模拟的过冷二元合金枝晶生长速度预测方法及系统
申请号:CN202510636523
申请日期:2025-05-17
公开号:CN120564909A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种基于迁移学习和分子动力学模拟的过冷二元合金枝晶生长速度预测方法及系统,涉及合金枝晶生长预测技术领域,为解决现有的合金枝晶生长速度预测方法受限于合金界面速度数据的短缺、及MD计算数据与实验条件不能精确匹配,影响合金枝晶生长速度的预测精确的问题。包括:S1、采用分子动力学模拟二元合金的动态凝固过程并计算多组合金在不同过冷度下合金界面迁移速度,构建源域数据集;S2、构建基于ANN的预测模型,采用源域数据集对预测模型进行预训练;S3、采集二元合金的物理参数和界面速度的实验数据,构建目标域数据集;S4、通过目标域数据集对预测模型进行调整;S5、采用合金枝晶生长速度预测模型对二元合金界面速度进行预测。
技术关键词
速度预测方法 合金 速度预测模型 分子 固液两相 速度预测系统 固液界面 数据 局域 多组合 取向 可读存储介质 参数 动态 代表 物理 液相 计算机
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