可控硅芯片制作方法、可控硅芯片及电子设备

本申请提供一种可控硅芯片制作方法、可控硅芯片及电子设备，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供一硅片，硅片包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面形成第一硼层，在第二表面形成第二硼层；在第一硼层远离硅片的一侧形成第一铝层，在第二硼层远离硅片的一侧形成第二铝层；在第一铝层远离第一硼层的一侧形成第一屏蔽层，在第二铝层远离第二硼层的一侧形成第二屏蔽层；在第一屏蔽层远离第一铝层的一侧形成第三屏蔽层，在第二屏蔽层远离第二铝层的一侧形成第四屏蔽层；根据第一铝层和第二铝层对硅片进行扩散处理。如此，可以有效阻挡铝原子溢出，且不需要采用专业的注铝设备，从而简化了生产流程，降低了生产成本。