半导体结构及其形成方法、芯片

一种半导体结构及其形成方法、芯片，其中结构包括：衬底；场氧化结构，所述场氧化结构位于所述衬底内；片内电容，位于所述场氧化结构上，所述片内电容的位置与所述场氧化结构的位置对应。所述场氧化结构位于所述衬底与所述片内电容之间，所述片内电容的位置与所述场氧化结构的位置对应，且场氧化结构在衬底内为高阻态，能够在垂直于衬底方向上，增加所述衬底与所述片内电容之间距离，实现对所述衬底和所述片内电容之间的耦合信号的隔离，降低了片内电容的能量损耗，实现对片内电容的Q值的提升，进而提升片内电容的性能。