一种浅槽隔离氧化物栅氧剂量辐照探测器

本发明公开一种浅槽隔离氧化物栅氧剂量辐照探测器，涉及辐照探测技术领域，以解决现有技术中的辐照探测器与小工艺制程节点电路无法兼容至同一芯片上的问题。探测器包括：硅衬底；形成于硅衬底中的目标浅槽；形成于衬底上并位于目标浅槽两侧的源漏极；形成于衬底和源漏极上并位于目标浅槽中的浅槽隔离氧化层；浅槽隔离氧化层用于对源漏极和栅极进行电性隔离；形成于浅槽隔离氧化层上的栅极；提升了辐照探测器与小工艺制程节点电路的集成度，满足工艺制程小的需求，可与小工艺制程节点电路兼容至同一芯片。