基于近场扫描磁场幅值的系统级封装内芯片辐射重构方法

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基于近场扫描磁场幅值的系统级封装内芯片辐射重构方法
申请号:CN202510657715
申请日期:2025-05-21
公开号:CN120180999B
公开日期:2025-08-05
类型:发明专利
摘要
该发明公开了一种基于近场扫描磁场幅值的系统级封装内芯片辐射重构方法,属于数据处理领域。本发明首先利用近场扫描测试系统获取芯片近场采样平面上的磁场幅值。因为SIP基板高介电常数的介质会显著影响芯片周围电磁场的分布,为了更准确地描述芯片周围复杂的电磁环境,采用数值计算方法获取SIP采样平面上的数值格林函数。在此基础上,利用数值格林函数矩阵和近场磁场幅值建立重构模型的辐射磁场方程。另外,近场电磁场数据缺少相位信息会增加优化算法陷入局部最优解的风险,因此,通过一种模拟退火算法混合差分进化算法通过降温过程在解的空间中进行局部搜索的方法提高方程求解精度。
技术关键词
系统级封装 扫描磁场 重构方法 混合差分进化算法 辐射芯片 模拟退火算法 扫描测试系统 SIP基板 幅值 数值计算方法 笛卡尔坐标系 阵列 搜索全局 重构模型 仿真模型 矩阵 辐射源
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